Новини криптоміра

Корпорація IBM представила технологію виробництва чипів з архітектурою транзисторів лише 0,7 нанометра, що еквівалентно 7 ангстремам. Ця заява, зроблена в рамках їхнього останнього дослідницького звіту, знаменує черговий крок у гонці за мініатюризацією напівпровідникових компонентів.

Ключовою інновацією є так званий «наностек» — підхід, за якого транзистори розміщуються не в одній площині, як у традиційних планарних структурах, а вертикально, у кілька шарів. Така тривимірна компоновка принципово змінює фізику роботи пристрою, дозволяючи подолати обмеження, з якими стикаються сучасні літографічні процеси.

За оцінками IBM, цей метод дозволить розмістити близько 100 мільярдів транзисторів на кристалі розміром із ніготь. Для порівняння: це в кілька разів перевищує щільність сучасних 3-нм та 5-нм рішень від TSMC і Samsung. Очікується, що порівняно з 2-нм технологією 2021 року, продуктивність нових чипів зросте на 50%, а енергоефективність — на 70%. Це означає, що процесори зможуть виконувати більше операцій при меншому тепловиділенні, що критично важливо для дата-центрів і мобільних пристроїв.

Однак комерційне впровадження технології перебуває на ранній стадії. IBM прогнозує, що серійне виробництво таких чипів розпочнеться не раніше ніж через п'ять років. Це пов'язано з необхідністю адаптації виробничих ліній та вирішення фундаментальних проблем, таких як квантові ефекти та витоки струму на таких малих відстанях.

Аналітика Cryptalist: Заява IBM — це скоріше демонстрація наукового потенціалу, ніж готовий до ринку продукт. На шляху до 0,7 нм стоять колосальні інженерні виклики, включаючи вартість обладнання (EUV-літографія з високою апертурою) та питання надійності. Якщо IBM вдасться масштабувати технологію, це може перевернути ринок, але поки лідери — TSMC і Samsung — працюють над 2-нм та 1,4-нм техпроцесами. Реальний прорив ми побачимо не раніше 2028-2029 років, і він потребуватиме не лише наностека, а й нових матеріалів, таких як графен або дихалькогеніди перехідних металів.