IBM оголошує про прорив: чипи з транзисторами менше 1 нм
Корпорація IBM представила нову технологію виробництва напівпровідників, яка дозволяє створювати чипи з архітектурою транзисторів 0,7 нм, або 7 ангстрем. Це значний крок вперед порівняно з поточними літографічними нормами, що відкриває нові горизонти для обчислювальної потужності.
Ключовою інновацією IBM є так звана «наностека» — вертикальне розміщення транзисторів у кілька шарів, а не традиційне плоске розташування. Такий підхід кардинально змінює фізику чипа, дозволяючи вмістити майже 100 мільярдів транзисторів на площі, порівнянній з нігтем людини.
За оцінками розробників, перехід на 0,7-нм техпроцес забезпечить приріст продуктивності до 50% або підвищення енергоефективності до 70% порівняно з 2-нм технологією, представленою IBM у 2021 році. Це означає, що майбутні пристрої зможуть виконувати найскладніші обчислення, споживаючи значно менше енергії, що критично важливо для дата-центрів, систем ШІ та портативної електроніки.
Однак комерційне виробництво таких чипів — питання не найближчого майбутнього. IBM прогнозує, що серійний випуск може розпочатися протягом п'яти років. Цей термін зумовлений необхідністю адаптації виробничих ліній та подолання фізичних обмежень, пов'язаних з ефектами квантового тунелювання на таких малих відстанях.
Коментар експерта: Анонс IBM — це не просто черговий технологічний тізер, а чіткий сигнал ринку про те, що гонка за мініатюризацією не зупинилася. 7 ангстрем — це фактично межа для кремнію, і рішення з багатошаровою архітектурою може стати мостом до посткремнієвої ери. Однак, як показує історія, шлях від лабораторного зразка до масового виробництва в напівпровідниковій індустрії тернистий і сповнений сюрпризів.