IBM анонсує революцію у виробництві чипів: технологія нижче 1 нм
Корпорація IBM представила проривну технологію для виробництва напівпровідникових чипів з архітектурою транзисторів на рівні 0,7 нм, що еквівалентно 7 ангстремам. Цей крок знаменує собою нову еру в мікроелектроніці, де традиційні фізичні обмеження кремнію починають відступати.
В основі розробки лежить концепція «наностеку» (nanosheet): на відміну від класичних планарних транзисторів, елементи розміщуються не в одній площині, а в кілька вертикальних шарів. Такий підхід кардинально збільшує щільність компонування та відкриває шлях до створення чипів, які раніше вважалися неможливими.
Згідно з внутрішніми розрахунками IBM, застосування наностеку дозволяє розмістити майже 100 мільярдів транзисторів на кристалі розміром з людський ніготь. Для порівняння: це в кілька разів перевищує щільність сучасних 3-нм та 5-нм рішень від провідних фаундрі. Порівняно з власною 2-нм технологією IBM, представленою у 2021 році, новинка обіцяє приріст продуктивності до 50% або підвищення енергоефективності до 70%.
Ключове питання — терміни комерціалізації. IBM прогнозує, що серійне виробництво чипів на 0,7-нм техпроцесі може розпочатися протягом найближчих п'яти років. Однак, враховуючи колосальні капітальні витрати на переоснащення літографічних ліній та необхідність подолання квантових ефектів, я оцінюю цей прогноз як вельми оптимістичний. Реальний вихід на ринок, швидше за все, займе 7-10 років, якщо тільки не відбудеться додаткового технологічного ривка в EUV-літографії.
Моя експертна оцінка: IBM знову підтверджує свій статус одного з головних інноваторів у напівпровідниковій індустрії. Однак, як показує історія, лабораторні прототипи та масове виробництво — це дві великі різниці. Поки TSMC та Samsung борються за 2-нм та 1,4-нм рубежі, анонс 0,7 нм виглядає радше як демонстрація наукового потенціалу, аніж як найближчий комерційний продукт. Інвесторам та майнерам варто стежити за розвитком подій, але не поспішати з висновками.