IBM анонсує прорив: технологія чипів із транзисторами менше 1 нм — 0,7 нм (7 ангстрем)
Корпорація IBM представила нову технологію виробництва напівпровідникових чипів з архітектурою транзисторів, що досягає 0,7 нанометра, що еквівалентно 7 ангстремам. Це значний крок вперед порівняно з попередніми досягненнями в галузі мініатюризації.
Ключова інновація, яка отримала назву «наностек», полягає у переході від плоского (2D) розміщення транзисторів до багатошарової тривимірної структури. Такий підхід дозволяє радикально збільшити щільність транзисторів на кристалі. За оцінками IBM, на чипі розміром з ніготь можна буде розмістити майже 100 мільярдів транзисторів.
Порівнюючи з власною еталонною 2-нм технологією 2021 року, IBM прогнозує або підвищення продуктивності на 50%, або зниження енергоспоживання на 70%. Це дає можливість створювати потужніші та енергоефективніші процесори для найрізноманітніших застосувань — від дата-центрів та ШІ до мобільних пристроїв і носійної електроніки.
Важливо розуміти, що комерційне виробництво чипів за цією технологією, ймовірно, розпочнеться не раніше ніж через п'ять років. Це стандартний термін для переходу від лабораторного прототипу до масового випуску, враховуючи складність літографічних процесів та необхідність адаптації виробничих ліній.
З моєї точки зору, анонс IBM — це не просто технічна демонстрація, а важливий сигнал для всієї напівпровідникової індустрії. Перехід до багатошарових транзисторів — це еволюційний, але критично важливий крок, який дозволить продовжити закон Мура, незважаючи на фізичні обмеження. Для криптоіндустрії це означає, що в перспективі ми можемо очікувати появи спеціалізованих ASIC-майнерів та пристроїв для стейкінгу з безпрецедентною енергоефективністю, що особливо актуально в умовах глобальної уваги до енергоспоживання блокчейнів.